IXTQ130N10T厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTQ130N10T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 130A TO3P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.07445 +10：￥15.4791 +100：￥13.69305 +500：￥13.33584	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 130A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.1 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 104 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5080 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 360W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IXTQ130N10T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 130A TO3P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.995092 +30：￥14.47802 +100：￥13.443875 +500：￥12.40973 +1000：￥11.892657	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 130A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.1 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 104 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5080 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 360W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IXTQ130N10T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 130A TO3P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.947267 +10：￥20.510486 +30：￥18.980668 +90：￥17.418068 +450：￥15.035924	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 130A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.1 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 104 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5080 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 360W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IXTQ130N10T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 130A TO3P 下载数据手册未分类	+1：￥41.156386	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 130A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.1 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 104 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5080 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 360W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IXTQ130N10T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 130A TO3P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥31.435427 +30：￥24.910706 +120：￥21.352309 +510：￥18.979928 +1020：￥16.25159	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 130A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.1 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 104 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5080 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 360W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTQ130N10T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 130A TO3P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥76.899382 +30：￥60.938186 +120：￥52.233405 +510：￥46.429931 +1020：￥39.755694	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 130A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.1 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 104 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5080 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 360W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTQ130N10T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 130A TO3P 下载数据手册未分类	+1：￥87.743761 +10：￥73.691688 +30：￥69.606783 +120：￥59.639613 +270：￥56.371689	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 130A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.1 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 104 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5080 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 360W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTQ130N10T 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 130A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-3P 下载数据手册未分类	+30：￥48.132363 +50：￥47.654934 +100：￥47.177505 +250：￥46.700076 +500：￥46.235211	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXTQ130N10T参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	Trench
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	130A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	9.1 毫欧 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	104 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5080 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	360W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-3P
封装/外壳:	TO-3P-3，SC-65-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）