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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPL60R095CFD7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	HIGH POWER_NEW 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥54.964008 +10：￥36.642672 +30：￥30.53556	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： - 工作温度： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： -

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPL60R095CFD7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	HIGH POWER_NEW 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥47.566406 +10：￥41.807735 +30：￥38.300081 +100：￥35.360646	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： - 工作温度： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： -

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPL60R095CFD7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	HIGH POWER_NEW 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥75.936333	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： - 工作温度： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： -

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPL60R095CFD7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	HIGH POWER_NEW 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： - 工作温度： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： -

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPL60R095CFD7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥17.919307	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： - 工作温度： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： -

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPL60R095CFD7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	HIGH POWER_NEW 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥43.835372	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： -
	IPL60R095CFD7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 下载数据手册未分类	+3000：￥36.90856	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： 4-PowerTSFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -40°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 95mOhm @ 1.4A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 570µA Supplier Device Package： PG-VSON-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2103 pF @ 400 V
	IPL60R095CFD7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 下载数据手册未分类	+1：￥75.769855 +10：￥63.660842 +100：￥51.500842 +500：￥45.778023 +1000：￥39.197518	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： 4-PowerTSFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -40°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 95mOhm @ 1.4A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 570µA Supplier Device Package： PG-VSON-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2103 pF @ 400 V
	IPL60R095CFD7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 下载数据手册未分类	+1：￥75.769855 +10：￥63.660842 +100：￥51.500842 +500：￥45.778023 +1000：￥39.197518	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： 4-PowerTSFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -40°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 95mOhm @ 1.4A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 570µA Supplier Device Package： PG-VSON-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2103 pF @ 400 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPL60R095CFD7AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	HIGH POWER_NEW 下载数据手册晶体管	+1：￥72.206937 +10：￥63.626293 +25：￥63.140595 +100：￥54.074253 +250：￥53.750455	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： -

IPL60R095CFD7AUMA1参数规格

属性	参数值
系列:	-
工作温度:	-
安装类型:	-
封装/外壳:	-
供应商器件封装:	-