IXFR230N20T厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFR230N20T Zilog(美国力特) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥453.962505 +210：￥181.141355 +510：￥175.087647 +990：￥172.093575	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFR230N20T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 156A ISOPLUS247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+300：￥106.444217	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 156A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 378 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 28000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 600W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： ISOPLUS247™ 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFR230N20T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 156A ISOPLUS247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+300：￥260.39076	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 156A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 378 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 28000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 600W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： ISOPLUS247™ 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFR230N20T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 156A ISOPLUS247 下载数据手册晶体管	+300：￥329.520903	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 156A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 378 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 28000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 600W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： ISOPLUS247™ 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFR230N20T Littelfuse 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 200V 156A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 下载数据手册未分类	+300：￥337.504572 +500：￥334.226313 +1000：￥330.791946 +2000：￥327.513687 +2500：￥324.235429	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFR230N20T参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Trench
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	156A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	8 毫欧 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	378 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	28000 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	600W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	ISOPLUS247™
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）