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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXFR230N20T_未分类
IXFR230N20T
授权代理品牌
+1:

¥453.962505

+210:

¥181.141355

+510:

¥175.087647

+990:

¥172.093575

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
自营 国内现货
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IXFR230N20T_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET N-CH 200V 156A ISOPLUS247

晶体管-FET,MOSFET-单个

+300:

¥106.444217

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Trench

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 156A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8 毫欧 60A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 8mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 378 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 28000 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 600W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: ISOPLUS247™

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
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IXFR230N20T_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET N-CH 200V 156A ISOPLUS247

晶体管-FET,MOSFET-单个

+300:

¥260.39076

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Trench

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 156A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8 毫欧 60A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 8mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 378 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 28000 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 600W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: ISOPLUS247™

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXFR230N20T_晶体管
IXFR230N20T
授权代理品牌

MOSFET N-CH 200V 156A ISOPLUS247

晶体管

+300:

¥329.520903

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Trench

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 156A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8 毫欧 60A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 8mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 378 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 28000 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 600W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: ISOPLUS247™

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXFR230N20T_未分类
IXFR230N20T
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH Si 200V 156A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247

未分类

+300:

¥337.504572

+500:

¥334.226313

+1000:

¥330.791946

+2000:

¥327.513687

+2500:

¥324.235429

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IXFR230N20T参数规格

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: HiPerFET™, Trench
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 156A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8 毫欧 60A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 378 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 28000 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 600W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: ISOPLUS247™
封装/外壳: TO-247-3
温度: -55°C # 175°C(TJ)