IXTA52P10P-TRL厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 IXTA52P10P-TRL 共 9 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA52P10P-TRL Zilog(美国力特) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥67.169929 +200：￥26.804593 +500：￥25.908557 +800：￥25.471466	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA52P10P-TRL IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 52A TO263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥60.847535	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PolarP™ 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 52A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2845 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D2Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IXTA52P10P-TRL IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 52A TO263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥93.382937 +10：￥84.397543 +100：￥69.877039	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： TrenchP™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： TO-263 (IXTA)
	IXTA52P10P-TRL IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 52A TO263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥93.382937 +10：￥84.397543 +100：￥69.877039	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： TrenchP™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： TO-263 (IXTA)
	IXTA52P10P-TRL Littelfuse(力特) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 52A TO263 下载数据手册未分类	+800：￥52.675192	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 50mOhm @ 26A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： TO-263 (D2PAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2845 pF @ 25 V
	IXTA52P10P-TRL Littelfuse(力特) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 52A TO263 下载数据手册未分类	+1：￥122.848042 +10：￥83.499951 +100：￥61.275625	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 50mOhm @ 26A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： TO-263 (D2PAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2845 pF @ 25 V
	IXTA52P10P-TRL Littelfuse(力特) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 52A TO263 下载数据手册未分类	+1：￥122.848042 +10：￥83.499951 +100：￥61.275625	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 50mOhm @ 26A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： TO-263 (D2PAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2845 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA52P10P-TRL IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 52A TO263 下载数据手册未分类	+1：￥121.718437 +10：￥83.411954 +100：￥66.497402 +800：￥57.210982	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PolarP™ 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 52A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2845 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D2Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA52P10P-TRL Littelfuse 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+800：￥82.016577 +4000：￥81.505811 +8000：￥80.995046 +12000：￥80.48428 +20000：￥79.958036	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXTA52P10P-TRL参数规格

属性	参数值