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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXKR47N60C5 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 47A ISOPLUS247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥145.077038 +10：￥133.806781 +100：￥114.26279 +500：￥103.738712	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 44A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 190 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6800 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： - 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： ISOPLUS247™ 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXKR47N60C5 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 47A ISOPLUS247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥354.896874 +10：￥327.326841 +100：￥279.517061 +500：￥253.772376	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 44A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 190 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6800 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： - 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： ISOPLUS247™ 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXKR47N60C5 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 47A ISOPLUS247 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 44A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 190 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6800 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： - 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： ISOPLUS247™ 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IXKR47N60C5参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	47A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	45 毫欧 44A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	190 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6800 pF 100 V
FET 功能:	超级结
功率耗散（最大值）:	-
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	ISOPLUS247™
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）