IPA60R190P6XKSA1厂家价格_数据手册

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	IPA60R190P6XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.806564 +10：￥15.423144 +20：￥11.321244 +50：￥8.2038 +100：￥7.79361	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P6 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20.2A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190mOhm 7.6A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 630µ 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1750 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 34W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 Full Pack 温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营现货库存

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	IPA60R190P6XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP 下载数据手册未分类	+1：￥28.727793 +10：￥25.394975 +50：￥23.41714 +100：￥21.417449 +500：￥20.499559	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P6 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20.2A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190mOhm 7.6A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 630µ 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1750 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 34W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 Full Pack 温度： -55°C # 150°C (TJ)

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	IPA60R190P6XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.745423	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P6 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20.2A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190mOhm 7.6A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 630µ 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1750 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 34W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 Full Pack 温度： -55°C # 150°C (TJ)

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	IPA60R190P6XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP 下载数据手册未分类	+100：￥25.197099 +500：￥21.450134 +1000：￥18.090402 +2000：￥17.185894 +5000：￥16.539688	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P6 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20.2A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190mOhm 7.6A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 630µ 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1750 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 34W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 Full Pack 温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营国内现货

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	IPA60R190P6XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.11998 +50：￥12.782678 +100：￥10.956914 +500：￥9.739505 +1000：￥8.339404	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P6 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20.2A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190mOhm 7.6A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 630µ 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1750 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 34W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 Full Pack 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key

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	IPA60R190P6XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥52.321333 +50：￥26.359548 +100：￥23.842924 +500：￥19.429267 +1000：￥18.011237	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P6 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20.2A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190mOhm 7.6A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 630µ 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1750 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 34W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 Full Pack 温度： -55°C # 150°C (TJ)
	IPA60R190P6XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP 下载数据手册未分类	+1：￥12.945635	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件,散装封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P6 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 7.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 630µ 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1750 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 34W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	IPA60R190P6XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+500：￥21.060274 +1000：￥18.904499	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P6 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20.2A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190mOhm 7.6A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 630µ 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1750 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 34W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 Full Pack 温度： -55°C # 150°C (TJ)

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA60R190P6XKSA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+1：￥29.981072 +10：￥26.596111 +100：￥24.38107 +500：￥22.493604 +1000：￥20.652935	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA60R190P6XKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+1：￥32.571214 +10：￥22.482784 +50：￥18.927814 +100：￥13.6434 +500：￥12.202196	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPA60R190P6XKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	Tube
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P6
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	20.2A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	190mOhm 7.6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 630µ
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	37 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1750 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	34W (Tc)
工作温度:	-55°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商器件封装:	PG-TO220-FP
封装/外壳:	TO-220-3 Full Pack
温度:	-55°C # 150°C (TJ)