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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IDL02G65C5XUMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE SCHOTTKY 650V 2A VSON-4 下载数据手册二极管整流器	+1：￥6.28474	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolSiC™+ 零件状态：在售二极管类型：碳化硅肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 650 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 2 A 速度：无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 0 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 35 µA 650 V 不同 Vr、F 时电容： 70pF 1V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 4-PowerTSFN 供应商器件封装： PG-VSON-4 工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IDL02G65C5XUMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE SCHOTTKY 650V 2A VSON-4 下载数据手册二极管整流器	+3000：￥9.663823	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolSiC™+ 零件状态：在售二极管类型：碳化硅肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 650 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 2 A 速度：无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 0 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 35 µA 650 V 不同 Vr、F 时电容： 70pF 1V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 4-PowerTSFN 供应商器件封装： PG-VSON-4 工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：
	IDL02G65C5XUMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE SIL CARBIDE 650V 2A VSON-4 下载数据手册未分类	+3000：￥8.393102 +6000：￥7.993479 +9000：￥7.624572	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： 4-PowerTSFN Mounting Type： Surface Mount Speed： No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr)： 0 ns Technology： SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F： 70pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io)： 2A Supplier Device Package： PG-VSON-4 Operating Temperature - Junction： -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 1.7 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr： 35 µA @ 650 V
	IDL02G65C5XUMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE SIL CARBIDE 650V 2A VSON-4 下载数据手册未分类	+1：￥20.288375	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： 4-PowerTSFN Mounting Type： Surface Mount Speed： No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr)： 0 ns Technology： SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F： 70pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io)： 2A Supplier Device Package： PG-VSON-4 Operating Temperature - Junction： -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 1.7 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr： 35 µA @ 650 V
	IDL02G65C5XUMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE SIL CARBIDE 650V 2A VSON-4 下载数据手册未分类	+1：￥20.288375	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： 4-PowerTSFN Mounting Type： Surface Mount Speed： No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr)： 0 ns Technology： SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F： 70pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io)： 2A Supplier Device Package： PG-VSON-4 Operating Temperature - Junction： -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 1.7 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr： 35 µA @ 650 V

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	IDL02G65C5XUMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE SCHOTTKY 650V 2A VSON-4 下载数据手册二极管与整流器	+1：￥23.19266 +10：￥20.90606 +100：￥16.136867 +500：￥13.686937 +1000：￥12.919293	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolSiC™+ 零件状态：在售二极管类型：碳化硅肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 650 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 2 A 速度：无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 0 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 35 µA 650 V 不同 Vr、F 时电容： 70pF 1V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 4-PowerTSFN 供应商器件封装： PG-VSON-4 工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

IDL02G65C5XUMA2参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolSiC™+
零件状态:	在售
二极管类型:	碳化硅肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	650 V
电流 - 平均整流 (Io):	2A（DC）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1.7 V 2 A
速度:	无恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	35 µA 650 V
不同 Vr、F 时电容:	70pF 1V，1MHz
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	4-PowerTSFN
供应商器件封装:	PG-VSON-4
工作温度 - 结:	-55°C # 175°C
温度: