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	IXTK550N055T2 Zilog 授权代理品牌	IXTK550N055T2 美国力特下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

Digi-Key

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	IXTK550N055T2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 550A TO264 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+300：￥209.374471	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： TrenchT2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 550A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 595 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 40000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1250W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-264（IXTK）封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTK550N055T2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 550A TO264 下载数据手册未分类	+25：￥265.334615 +100：￥237.279284	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： TrenchT2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 550A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 595 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 40000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1250W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-264（IXTK）封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IXTK550N055T2参数规格

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