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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB50R199CPATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 550V 17A TO-263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.460439 +200：￥17.8838 +500：￥14.30704 +1000：￥11.922493	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 550 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 199 毫欧 9.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 660µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 139W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB50R199CPATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 550V 17A TO-263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.007522 +200：￥8.523271 +500：￥8.217307 +1000：￥8.075253	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 550 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 199 毫欧 9.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 660µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 139W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB50R199CPATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 550V 17A TO-263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥21.445553	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 550 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 199 毫欧 9.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 660µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 139W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	IPB50R199CPATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 550V 17A TO-263 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 550 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 199 毫欧 9.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 660µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 139W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IPB50R199CPATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™
零件状态:	不适用于新设计
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	550 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	199 毫欧 9.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 660µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	45 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1800 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	139W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO263-3-2
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 150°C（TJ）