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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7413ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	表面贴装型 N 通道 30 V 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.894316 +10：￥1.737761 +30：￥1.70645 +100：￥1.612517	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1210 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7413ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥9.502735 +300：￥6.42631 +1000：￥4.717185 +4000：￥3.41825 +8000：￥3.247398	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1210 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7413ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.480181 +10：￥3.453017 +30：￥2.939436 +100：￥2.425854	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1210 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7413ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.9403	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1210 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF7413ZTRPBF 授权代理品牌	IRF7413ZTRPBF BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥0.986297 +500：￥0.910472 +2000：￥0.834532 +6000：￥0.758708	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7413ZTRPBF 授权代理品牌	IRF7413ZTRPBF UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+500：￥0.777924 +1000：￥0.731388 +2000：￥0.68624	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7413ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.341876 +10：￥2.282837 +50：￥2.223798	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1210 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7413ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.807429 +100：￥3.05613 +1000：￥2.725049 +2000：￥2.572243 +4000：￥2.444904	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1210 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7413ZTRPBF 授权代理品牌	IRF7413ZTRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.223841 +25：￥1.19328 +50：￥1.162603 +100：￥1.132042 +150：￥1.111668	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7413ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1210 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF7413ZTRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	13A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	10 毫欧 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.25V 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	14 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1210 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SO
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF7413ZTRPBF 授权代理品牌	IRF7413ZTRPBF BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥0.986297 +500：￥0.910472 +2000：￥0.834532 +6000：￥0.758708	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7413ZTRPBF 授权代理品牌	IRF7413ZTRPBF UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+500：￥0.777924 +1000：￥0.731388 +2000：￥0.68624	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7413ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.341876 +10：￥2.282837 +50：￥2.223798	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1210 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7413ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.807429 +100：￥3.05613 +1000：￥2.725049 +2000：￥2.572243 +4000：￥2.444904	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1210 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7413ZTRPBF 授权代理品牌	IRF7413ZTRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.223841 +25：￥1.19328 +50：￥1.162603 +100：￥1.132042 +150：￥1.111668	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数