IPA80R360P7XKSA1厂家价格_数据手册

搜索 IPA80R360P7XKSA1 共 11 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA80R360P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 800V 13A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.170086	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 5.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 930 pF 500 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA80R360P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 800V 13A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.856978 +10：￥15.155019 +100：￥12.416167 +500：￥10.569705 +1000：￥8.914252	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 5.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 930 pF 500 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA80R360P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 800V 13A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥41.236633 +10：￥37.073192 +100：￥30.373234 +500：￥25.856298 +1000：￥21.806622	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 5.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 930 pF 500 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IPA80R360P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 800V 13A TO220 下载数据手册未分类	+1：￥49.873551 +10：￥32.509601 +100：￥22.614443 +500：￥18.373968 +1000：￥17.009176	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-220-3 Full Pack Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 360mOhm @ 5.6A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 280µA Supplier Device Package： PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 930 pF @ 500 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA80R360P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 800V 13A TO220 下载数据手册未分类	+1：￥36.316536 +10：￥28.190918 +100：￥22.055248 +250：￥21.889419 +500：￥18.572841	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 5.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 930 pF 500 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA80R360P7XKSA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+500：￥16.134003	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA80R360P7XKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 800V, 13A, TO-220FP 下载数据手册未分类	+1：￥23.877688 +10：￥19.816943 +100：￥15.769009 +500：￥13.347935 +1000：￥11.554546	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA80R360P7XKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 10 下载数据手册未分类	+1：￥27.769271 +10：￥19.180836 +50：￥16.127171 +100：￥11.6421 +500：￥10.40155	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA80R360P7XKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 800V, 13A, TO-220FP 下载数据手册未分类	+1：￥26.567187 +10：￥22.062371 +100：￥17.644907 +250：￥16.721482 +500：￥14.774802	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA80R360P7XKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=800 V, 13 A, TO-220 FP, 通孔安装, 3引脚, IPA80R360P7XKSA1 下载数据手册未分类	+15：￥17.896475 +25：￥16.999772	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPA80R360P7XKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	13A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	360 毫欧 5.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 280µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	30 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	930 pF 500 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	30W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-FP
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 150°C（TJ）