IPA029N06NXKSA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA029N06NXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥31.655657 +10：￥21.103852 +30：￥17.586503	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 84A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.9 毫欧 84A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.3V 75µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5125 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IPA029N06NXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.498939 +10：￥21.37374 +30：￥19.527031	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 84A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.9 毫欧 84A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.3V 75µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5125 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPA029N06NXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.471181	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 84A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.9 毫欧 84A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.3V 75µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5125 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPA029N06NXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 84A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.9 毫欧 84A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.3V 75µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5125 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA029N06NXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥45.336127 +10：￥40.774181 +100：￥33.404226 +500：￥28.550426	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 84A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.9 毫欧 84A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.3V 75µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5125 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IPA029N06NXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 84A TO220-FP 下载数据手册未分类	+1：￥44.85797 +10：￥37.680696 +100：￥30.484609 +500：￥27.097399 +1000：￥23.202135	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-220-3 Full Pack Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 2.9mOhm @ 84A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.3V @ 75µA Supplier Device Package： PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 5125 pF @ 30 V

Mouser

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	IPA029N06NXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V TO220-3 下载数据手册晶体管	+1：￥51.44459 +10：￥43.173755 +25：￥41.850422 +100：￥34.902921 +250：￥33.91042	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 84A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.9 毫欧 84A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.3V 75µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5125 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

IPA029N06NXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	84A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.9 毫欧 84A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.3V 75µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	66 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5125 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	38W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-FP
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 175°C（TJ）