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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7420TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 11.5A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.45929 +10：￥5.45101 +30：￥4.946871 +100：￥4.442731 +500：￥3.9701	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 11.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3529 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF7420TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 11.5A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.84592	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 11.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3529 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF7420TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF7420TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.717685 +25：￥1.648921 +100：￥1.580274 +4000：￥1.538947 +12000：￥1.484075	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7420TRPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRF7420TRPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+4000：￥0.900748 +12000：￥0.885121 +20000：￥0.861505 +32000：￥0.822377	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7420TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF7420TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.483612 +4000：￥1.397022 +12000：￥1.335205 +20000：￥1.298161	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7420TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 11.5A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥8.105617 +2000：￥7.862041	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 11.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3529 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7420TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 11.5A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 11.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3529 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRF7420TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 11.5A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 11.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3529 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7420TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 11.5A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 11.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3529 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7420TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 11.5A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

IRF7420TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	最后售卖
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	11.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	14 毫欧 11.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	900mV 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	38 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3529 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SO
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）