IPB65R110CFDATMA2厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB65R110CFDATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	HIGH POWER_LEGACY 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CFD2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 12.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 118 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3240 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 277.8W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPB65R110CFDATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	HIGH POWER_LEGACY 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥77.504945	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CFD2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 12.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 118 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3240 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 277.8W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPB65R110CFDATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263-3 下载数据手册未分类	+1000：￥58.473477 +2000：￥56.307783	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 31.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 110mOhm @ 12.7A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 277.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 1.3mA Supplier Device Package： PG-TO263-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3240 pF @ 100 V
IPB65R110CFDATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263-3 下载数据手册未分类	+1：￥103.141913 +10：￥93.127304 +100：￥77.098223 +500：￥67.136114	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 31.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 110mOhm @ 12.7A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 277.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 1.3mA Supplier Device Package： PG-TO263-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3240 pF @ 100 V
IPB65R110CFDATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263-3 下载数据手册未分类	+1：￥103.141913 +10：￥93.127304 +100：￥77.098223 +500：￥67.136114	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 31.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 110mOhm @ 12.7A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 277.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 1.3mA Supplier Device Package： PG-TO263-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3240 pF @ 100 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB65R110CFDATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	HIGH POWER_LEGACY 下载数据手册未分类	+1：￥111.546096 +10：￥100.782875 +100：￥83.496492 +500：￥72.733272 +1000：￥66.373189	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CFD2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 12.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 118 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3240 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 277.8W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB65R110CFDATMA2 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+1000：￥78.972756 +2000：￥78.182021 +3000：￥77.405664 +4000：￥76.629308 +5000：￥75.852951	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPB65R110CFDATMA2参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ CFD2
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	31.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	110 毫欧 12.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 1.3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	118 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3240 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	277.8W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO263-3
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 150°C（TJ）