IRFH5007TR2PBF厂家价格_数据手册

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH5007TR2PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.823925 +200：￥3.026854 +400：￥2.928508 +800：￥2.873872	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.9 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFH5007TR2PBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFH5007TR2PBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥6.781252 +5000：￥6.385692 +15000：￥6.103115 +25000：￥5.933638	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFH5007TR2PBF International 授权代理品牌	IRFH5007TR2PBF INTERNATIONAL RECTIFIER 下载数据手册未分类	+300：￥7.916998 +500：￥7.880417 +1000：￥7.843952 +5000：￥7.734556	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFH5007TR2PBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFH5007TR2PBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥6.680855 +5000：￥6.402422 +10000：￥6.124099 +15000：￥5.678737	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH5007TR2PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.9 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFH5007TR2PBF Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 17A/100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： International Rectifier 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A (Ta), 100A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.9mOhm 50A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6) 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -
IRFH5007TR2PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.9 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -
IRFH5007TR2PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： - 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH5007TR2PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.9 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -

IRFH5007TR2PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	17A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	5.9 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	98 nC 10 V
Vgs（最大值）:	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4290 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	-
工作温度:	-
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-