IPA045N10N3GXKSA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA045N10N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 64A TO220-FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.823161 +200：￥11.519321 +500：￥9.21536 +1000：￥7.679507	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 64A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 117 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8410 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 39W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPA045N10N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 64A TO220-FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.171865	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 64A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 117 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8410 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 39W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPA045N10N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 64A TO220-FP 下载数据手册未分类	+100：￥21.796029 +500：￥17.907847 +1000：￥14.837925 +2000：￥13.814654 +5000：￥13.302962	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 64A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 117 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8410 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 39W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPA045N10N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 64A TO220-FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥38.958268 +10：￥35.009437 +100：￥28.13476 +500：￥23.115769 +1000：￥19.153024	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 64A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 117 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8410 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 39W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IPA045N10N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 64A TO220-FP 下载数据手册未分类	+1：￥43.490884 +50：￥34.891762 +100：￥28.708627 +500：￥24.29144 +1000：￥20.611119	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-220-3 Full Pack Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 4.5mOhm @ 64A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 150µA Supplier Device Package： PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 8410 pF @ 50 V

IPA045N10N3GXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	64A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4.5 毫欧 64A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	117 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	8410 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	39W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-FP
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 175°C（TJ）