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搜索 IRFR320TR 共 8 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR320TR UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	IRFR320TR UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+500：￥1.322262 +1000：￥1.273388 +1500：￥1.22512	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRFR320TR VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFR320TR VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.639776	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRFR320TR 授权代理品牌	IRFR320TR VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+7：￥2.38172 +30：￥2.239343 +100：￥2.218969 +2500：￥2.178221	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRFR320TR 授权代理品牌	IRFR320TR UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+500：￥1.166886 +1000：￥1.12417 +1500：￥1.082148	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR320TR Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 欧姆 1.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），42W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR320TR Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥10.631588	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 欧姆 1.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），42W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR320TR Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥26.00768	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 欧姆 1.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），42W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR320TR Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 欧姆 1.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），42W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRFR320TR参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.8 欧姆 1.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	20 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	350 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta），42W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D-Pak
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）