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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD50R800CEAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	CONSUMER 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.434119 +200：￥6.1952 +500：￥4.95616 +1000：￥4.130093	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： * 工作温度： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： -

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD50R800CEAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	CONSUMER 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.035722	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： * 工作温度： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： -

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD50R800CEAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	CONSUMER 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.6361	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： * 工作温度： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： -
	IPD50R800CEAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	CONSUMER 下载数据手册未分类	+2500：￥4.396057 +5000：￥4.092871 +12500：￥3.941279 +25000：￥3.840306	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 800mOhm @ 1.5A, 13V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 130µA Supplier Device Package： PG-TO252-2 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 13V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 12.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 280 pF @ 100 V
	IPD50R800CEAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	CONSUMER 下载数据手册未分类	+1：￥11.395956 +10：￥10.00459 +100：￥7.67107 +500：￥6.063708 +1000：￥4.850835	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 800mOhm @ 1.5A, 13V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 130µA Supplier Device Package： PG-TO252-2 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 13V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 12.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 280 pF @ 100 V
	IPD50R800CEAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	CONSUMER 下载数据手册未分类	+1：￥11.395956 +10：￥10.00459 +100：￥7.67107 +500：￥6.063708 +1000：￥4.850835	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 800mOhm @ 1.5A, 13V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 130µA Supplier Device Package： PG-TO252-2 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 13V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 12.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 280 pF @ 100 V

Mouser

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	IPD50R800CEAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	CONSUMER 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： * 工作温度： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： -

IPD50R800CEAUMA1参数规格

属性	参数值
系列:	*
工作温度:	-
安装类型:	-
封装/外壳:	-
供应商器件封装:	-