IPD50N04S408ATMA1厂家价格_数据手册

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自营现货库存

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	IPD50N04S408ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.620687 +10：￥12.719342 +30：￥11.52827	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.9 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 17µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1780 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 46W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD50N04S408ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.781858 +5000：￥3.59273 +12500：￥3.457679	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.9 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 17µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1780 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 46W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPD50N04S408ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥4.997372 +5000：￥4.759372 +12500：￥4.53969 +25000：￥4.530967	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.9 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 17µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1780 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 46W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPD50N04S408ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.086897 +10：￥9.881351 +100：￥7.688263 +500：￥6.516708 +1000：￥5.308517	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3-313
IPD50N04S408ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.086897 +10：￥9.881351 +100：￥7.688263 +500：￥6.516708 +1000：￥5.308517	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3-313

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD50N04S408ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 下载数据手册晶体管	+1：￥13.624855 +10：￥11.327641 +100：￥9.553242 +500：￥8.269971 +1000：￥6.733214	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.9 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 17µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1780 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 46W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD50N04S408ATMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥5.332103	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD50N04S408ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 40V, 50A, TO-252-3 下载数据手册未分类	+1：￥8.700948 +10：￥7.185061 +100：￥5.595228 +500：￥4.744853 +1000：￥4.313502	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD50N04S408ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+5：￥5.880668 +10：￥4.834588 +50：￥4.099503 +100：￥3.675417 +200：￥3.665995	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD50N04S408ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET, N CH, 40V, 50A, TO-252-3 下载数据手册未分类	+1：￥9.378023 +10：￥7.74908 +100：￥6.027066 +500：￥5.107876 +1000：￥4.549388	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPD50N04S408ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7.9 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 17µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	22.4 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1780 pF 6 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	46W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO252-3-313
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）