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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFB11N50APBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥10.555743 +10：￥9.12427 +30：￥8.228234	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 520 毫欧 6.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1423 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 170W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFB11N50APBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB 下载数据手册未分类	+50：￥7.640585 +200：￥7.505358 +750：￥7.370131 +1500：￥7.234904 +3750：￥7.167238	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 520 毫欧 6.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1423 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 170W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFB11N50APBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 520 毫欧 6.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1423 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 170W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFB11N50APBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB 下载数据手册未分类	+11950：￥10.935146	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 520 毫欧 6.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1423 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 170W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFB11N50APBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFB11N50APBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥8.360881 +1000：￥7.932118 +1350：￥7.717737 +2100：￥7.503355 +2950：￥7.217513	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFB11N50APBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥6.266987	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 520 毫欧 6.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1423 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 170W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFB11N50APBF 授权代理品牌	IRFB11N50APBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥13.30389 +30：￥12.971304 +200：￥12.527818 +1000：￥12.084331	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFB11N50APBF 授权代理品牌	IRFB11N50APBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥9.418437 +30：￥9.182977 +200：￥8.869029 +1000：￥8.555081	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFB11N50APBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 520 毫欧 6.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1423 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 170W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFB11N50APBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 520 毫欧 6.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1423 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 170W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRFB11N50APBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	520 毫欧 6.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	52 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1423 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	170W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFB11N50APBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB 下载数据手册未分类	+50：￥7.640585 +200：￥7.505358 +750：￥7.370131 +1500：￥7.234904 +3750：￥7.167238	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 520 毫欧 6.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1423 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 170W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFB11N50APBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 520 毫欧 6.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1423 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 170W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFB11N50APBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB 下载数据手册未分类	+11950：￥10.935146	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 520 毫欧 6.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1423 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 170W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFB11N50APBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFB11N50APBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥8.360881 +1000：￥7.932118 +1350：￥7.717737 +2100：￥7.503355 +2950：￥7.217513	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFB11N50APBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥6.266987	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 520 毫欧 6.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1423 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 170W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFB11N50APBF 授权代理品牌	IRFB11N50APBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥13.30389 +30：￥12.971304 +200：￥12.527818 +1000：￥12.084331	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFB11N50APBF 授权代理品牌	IRFB11N50APBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥9.418437 +30：￥9.182977 +200：￥8.869029 +1000：￥8.555081	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFB11N50APBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 520 毫欧 6.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1423 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 170W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）