IPD60R600P7SAUMA1厂家价格_数据手册

搜索 IPD60R600P7SAUMA1 共 14 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD60R600P7SAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600mOhm 1.7A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 80µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 363 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W (Tc) 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 温度： -40°C # 150°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD60R600P7SAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.547868	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600mOhm 1.7A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 80µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 363 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W (Tc) 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 温度： -40°C # 150°C (TJ)

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD60R600P7SAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.641029	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600mOhm 1.7A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 80µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 363 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W (Tc) 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 温度： -40°C # 150°C (TJ)

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPD60R600P7SAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.879148 +5000：￥3.67504 +12500：￥3.402774 +25000：￥3.369131	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600mOhm 1.7A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 80µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 363 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W (Tc) 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 温度： -40°C # 150°C (TJ)
IPD60R600P7SAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.217789 +10：￥8.84711 +100：￥6.124445 +500：￥5.117867 +1000：￥4.35552	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ P7 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3
IPD60R600P7SAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.217789 +10：￥8.84711 +100：￥6.124445 +500：￥5.117867 +1000：￥4.35552	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ P7 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD60R600P7SAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3 下载数据手册晶体管	+1：￥12.991142 +10：￥11.248427 +100：￥7.778843 +500：￥6.495571 +1000：￥5.529157	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600mOhm 1.7A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 80µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 363 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W (Tc) 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 温度： -40°C # 150°C (TJ)

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD60R600P7SAUMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+1：￥10.451045 +10：￥9.145934 +25：￥8.790653 +50：￥7.734962 +100：￥5.854151	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD60R600P7SAUMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+5：￥6.606327 +10：￥4.947678 +50：￥4.212595 +100：￥3.600024 +200：￥3.420967	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD60R600P7SAUMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 600V, 6A, 30W, TO-252 下载数据手册未分类	+5：￥6.894065 +50：￥5.799396 +100：￥4.704735 +500：￥3.93614 +1000：￥3.34222	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPD60R600P7SAUMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	600mOhm 1.7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 80µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	9 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	363 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	30W (Tc)
工作温度:	-40°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商器件封装:	PG-TO252-3
封装/外壳:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
温度:	-40°C # 150°C (TJ)