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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR3910TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 16A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥11.01096 +100：￥7.86168 +200：￥6.01128 +300：￥5.104368 +500：￥4.591008	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 115 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 640 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRFR3910TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 16A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.431163 +10：￥2.731818 +30：￥2.382145 +100：￥2.043399	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 115 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 640 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR3910TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 16A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.73043	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 115 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 640 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR3910TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 16A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥3.25553 +6000：￥3.100518 +10000：￥2.95743	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 115 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 640 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IRFR3910TRPBF International 授权代理品牌	IRFR3910 - 12V-300V N-CHANNEL PO 下载数据手册	+1：￥3.787643	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： International Rectifier 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 115mOhm 10A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 640 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W (Tc) 工作温度： -55°C ~ 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 温度： -55°C ~ 175°C (TJ)

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFR3910TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 16A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥5.545394 +6000：￥5.281352 +10000：￥5.03762	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 115 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 640 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFR3910TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 16A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.457576 +10：￥10.965432 +100：￥8.531855 +500：￥7.231205 +1000：￥5.890681	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-Pak
IRFR3910TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 16A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.457576 +10：￥10.965432 +100：￥8.531855 +500：￥7.231205 +1000：￥5.890681	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-Pak

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR3910TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 16A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥16.84966 +10：￥15.257567 +100：￥11.821297 +500：￥9.764842 +1000：￥8.570773	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 115 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 640 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR3910TRPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+1：￥5.071082 +2001：￥4.859362	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFR3910TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	115 毫欧 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	44 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	640 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	79W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D-Pak
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）