IRLH6224TRPBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 IRLH6224TRPBF 共 6 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLH6224TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 28A PQFN 5X6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.48518 +200：￥2.895727 +500：￥2.797381 +1000：￥2.742745	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Ta），105A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 毫欧 20A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 86 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3710 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），52W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLH6224TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 28A PQFN 5X6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥5.86197	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Ta），105A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 毫欧 20A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 86 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3710 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），52W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLH6224TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 28A PQFN 5X6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥10.129465	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Ta），105A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 毫欧 20A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 86 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3710 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），52W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLH6224TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 28A PQFN 5X6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)
IRLH6224TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 28A PQFN 5X6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLH6224TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 28A PQFN 5X6 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Ta），105A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 毫欧 20A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 86 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3710 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），52W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRLH6224TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	28A（Ta），105A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3 毫欧 20A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.1V 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	86 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3710 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.6W（Ta），52W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）