IRFSL7437PBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFSL7437PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 195A TO-262 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.696048 +5：￥17.673264 +10：￥14.554512 +20：￥11.851488 +50：￥9.040032	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 225 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7330 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 230W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-262 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFSL7437PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 195A TO-262 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.251757 +10：￥9.093427 +30：￥8.368119 +100：￥7.761889 +500：￥7.361345	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 225 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7330 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 230W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-262 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFSL7437PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 195A TO-262 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.51812	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 225 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7330 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 230W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-262 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFSL7437PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 195A TO-262 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.804716 +10：￥15.967041 +100：￥12.835842 +500：￥10.545827 +1000：￥10.043576	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 225 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7330 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 230W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-262 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFSL7437PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 195A TO-262 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥30.76649 +10：￥27.590994 +100：￥22.180292 +500：￥18.223153 +1000：￥17.355265	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 225 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7330 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 230W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-262 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

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	IRFSL7437PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 195A TO-262 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 225 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7330 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 230W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-262 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFSL7437PBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube 下载数据手册未分类	+1000：￥11.557485 +2000：￥11.128248 +5000：￥10.946983	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFSL7437PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®, StrongIRFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	195A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.8 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.9V 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	225 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	7330 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	230W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-262
封装/外壳:	TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
温度:	-55°C # 175°C（TJ）