搜索 IRFB11N50APBF 共 21 条相关记录
自营 现货库存
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IRFB11N50APBF 授权代理品牌 | MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB | +1: ¥10.555743 +10: ¥9.12427 +30: ¥8.228234 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IRFB11N50APBF 授权代理品牌 | +50: ¥7.640585 +200: ¥7.505358 +750: ¥7.370131 +1500: ¥7.234904 +3750: ¥7.167238 | ||||
IRFB11N50APBF 授权代理品牌 | 1+: | ||||
IRFB11N50APBF 授权代理品牌 | +11950: ¥10.935146 | ||||
IRFB11N50APBF 授权代理品牌 | +10: ¥8.360881 +1000: ¥7.932118 +1350: ¥7.717737 +2100: ¥7.503355 +2950: ¥7.217513 | 暂无参数 | |||
IRFB11N50APBF 授权代理品牌 | +1: ¥6.266987 | ||||
IRFB11N50APBF | +1: ¥13.30389 +30: ¥12.971304 +200: ¥12.527818 +1000: ¥12.084331 | 暂无参数 | |||
IRFB11N50APBF | +1: ¥9.418437 +30: ¥9.182977 +200: ¥8.869029 +1000: ¥8.555081 | 暂无参数 | |||
IRFB11N50APBF 授权代理品牌 | 1+: |
IRFB11N50APBF参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 管件 |
封装/外壳: | * |
系列: | HEXFET® |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 500 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 11A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 520 毫欧 6.6A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 52 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1423 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 170W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-220AB |
封装/外壳: | TO-220-3 |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |