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IRL520NSTRLPBF_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRL520NSTRLPBF
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系列： HEXFET®

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装： D2PAK

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IRL520NSTRLPBF
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MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK

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系列： HEXFET®

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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IRL520NSTRLPBF_晶体管-FET，MOSFET-单个
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系列： HEXFET®

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安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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系列： HEXFET®

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系列： HEXFET®

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

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工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

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￥3.49536

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￥3.29043

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￥3.133774

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系列： HEXFET®

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

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供应商器件封装： D2PAK

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货期：7~10 天

系列： HEXFET®

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装： D2PAK

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MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK

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￥6.039972

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￥5.685852

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￥5.415151

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￥5.165147

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 10A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 180mOhm @ 6A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 3.8W (Ta), 48W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 2V @ 250µA

Supplier Device Package： D2PAK

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4V, 10V

Vgs (Max)： ±16V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 20 nC @ 5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 440 pF @ 25 V

IRL520NSTRLPBF参数规格

属性 参数值
系列: HEXFET®
工作温度: -55°C # 175°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装: D2PAK