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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTR102N65X2 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥110.966427 +200：￥42.944171 +500：￥41.436208 +1000：￥40.693153	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTR102N65X2 Zilog 授权代理品牌	IXTR102N65X2 美国力特下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTR102N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥141.051975 +10：￥125.310461 +100：￥109.603245 +500：￥93.527893	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 54A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 33 毫欧 51A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 152 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： ISOPLUS247™ 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTR102N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥243.737342 +10：￥216.536058 +100：￥189.394042 +500：￥161.615885	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 54A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 33 毫欧 51A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 152 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： ISOPLUS247™ 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTR102N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247 下载数据手册晶体管	+1：￥309.892101 +10：￥291.524636 +60：￥248.667218 +120：￥243.957611 +510：￥221.508487	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 54A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 33 毫欧 51A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 152 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： ISOPLUS247™ 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTR102N65X2 Littelfuse(美国力特) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+1：￥294.708087 +10：￥231.35962 +25：￥197.390153	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXTR102N65X2参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	Ultra X2
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	54A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	33 毫欧 51A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	152 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	10900 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	330W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	ISOPLUS247™
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）