IPN70R1K2P7SATMA1厂家价格_数据手册

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	IPN70R1K2P7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	COOLMOS P7 700V SOT-223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.185144 +200：￥1.671872 +500：￥1.617236 +1000：￥1.584454	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 900mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 174 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.3W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPN70R1K2P7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	COOLMOS P7 700V SOT-223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.163861	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 900mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 174 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.3W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPN70R1K2P7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	COOLMOS P7 700V SOT-223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.815057	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 900mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 174 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.3W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPN70R1K2P7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	COOLMOS P7 700V SOT-223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥4.440109	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 900mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 174 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.3W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IPN70R1K2P7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	COOLMOS P7 700V SOT-223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.058959 +10：￥8.798047 +100：￥6.739502 +500：￥5.328133 +1000：￥4.440109	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ P7 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-3 供应商器件封装： PG-SOT223
IPN70R1K2P7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	COOLMOS P7 700V SOT-223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ P7 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-3 供应商器件封装： PG-SOT223

Mouser

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	IPN70R1K2P7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	COOLMOS P7 700V SOT-223 下载数据手册晶体管	+1：￥9.443235 +10：￥8.149163 +100：￥5.770867 +500：￥4.879006 +1000：￥3.934682	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 900mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 174 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.3W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

艾睿

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	IPN70R1K2P7SATMA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥3.333245 +6000：￥3.171029 +9000：￥2.951101 +24000：￥2.932383 +30000：￥2.923024	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPN70R1K2P7SATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+5：￥2.523097 +50：￥2.422973 +100：￥1.802213	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPN70R1K2P7SATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 700V, 150DEG C, 6.3W 下载数据手册未分类	+1：￥5.221166 +10：￥4.585987 +100：￥3.315631 +500：￥2.820192 +1000：￥2.540713	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPN70R1K2P7SATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.2 欧姆 900mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 40µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	4.8 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	174 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	6.3W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-SOT223
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
温度:	-40°C # 150°C（TJ）