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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB70N10S3L12ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥27.449302 +200：￥10.960052 +500：￥10.588525 +1000：￥10.413688	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： PG-TO263-3-2

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	IPB70N10S3L12ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.572913	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： PG-TO263-3-2

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	IPB70N10S3L12ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： PG-TO263-3-2

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	IPB70N10S3L12ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： PG-TO263-3-2

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB70N10S3L12ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+7000：￥10.598131	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： PG-TO263-3-2
	IPB70N10S3L12ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 下载数据手册未分类	+1000：￥17.66256	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 11.8mOhm @ 70A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.4V @ 83µA Supplier Device Package： PG-TO263-3-2 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 5550 pF @ 25 V
	IPB70N10S3L12ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 下载数据手册未分类	+1：￥35.941556 +10：￥32.27806 +100：￥25.946106 +500：￥21.316926	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 11.8mOhm @ 70A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.4V @ 83µA Supplier Device Package： PG-TO263-3-2 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 5550 pF @ 25 V
	IPB70N10S3L12ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 下载数据手册未分类	+1：￥35.941556 +10：￥32.27806 +100：￥25.946106 +500：￥21.316926	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 11.8mOhm @ 70A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.4V @ 83µA Supplier Device Package： PG-TO263-3-2 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 5550 pF @ 25 V
	IPB70N10S3L12ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 下载数据手册未分类	+235：￥14.792666	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 11.8mOhm @ 70A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.4V @ 83µA Supplier Device Package： PG-TO263-3-2 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 5550 pF @ 25 V

IPB70N10S3L12ATMA1参数规格

属性	参数值
系列:	OptiMOS™
工作温度:	-55°C # 175°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
封装/外壳:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装:	PG-TO263-3-2