IXTP60N10T厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP60N10T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.556362 +10：￥5.452708 +30：￥4.906344 +100：￥4.359981 +500：￥3.704345	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2650 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 176W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP60N10T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.827951 +50：￥12.698573 +100：￥10.448201 +500：￥8.840758 +1000：￥7.501281	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2650 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 176W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP60N10T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥38.719363 +50：￥31.064074 +100：￥25.559068 +500：￥21.626837 +1000：￥18.350121	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2650 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 176W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP60N10T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB 下载数据手册	+1：￥44.26205 +10：￥35.605634 +100：￥29.07249 +250：￥27.92919 +500：￥23.029332	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2650 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 176W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP60N10T 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 下载数据手册未分类	+300：￥26.245814 +500：￥21.976462 +1000：￥18.489094 +2000：￥17.302401 +2500：￥16.792054	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP60N10T Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	MOSFETs MOSFET Id60 BVdass100 下载数据手册未分类	+50：￥13.343057 +100：￥13.142409 +250：￥12.841438 +500：￥11.737877 +1000：￥11.436907	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP60N10T Littelfuse(美国力特) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 60A, TO-220 下载数据手册未分类	+1：￥25.512907 +10：￥22.402215 +100：￥16.389952 +500：￥14.782325 +1000：￥11.606281	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP60N10T Littelfuse(美国力特) 授权代理品牌	Days to ship 10 下载数据手册未分类	+1：￥27.695593 +10：￥19.129945 +50：￥16.084382	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP60N10T Littelfuse(美国力特) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 100V, 60A, TO-220 下载数据手册未分类	+1：￥26.610852 +10：￥23.369787 +100：￥17.082615 +500：￥15.413343 +1000：￥12.074799	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXTP60N10T参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	Trench
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	18 毫欧 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	49 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2650 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	176W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）