IRL640SPBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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	IRL640SPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.538921 +10：￥20.449121 +30：￥16.3592 +100：￥13.632707	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 10A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IRL640SPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥15.167051 +10：￥13.28756 +30：￥12.118342 +100：￥9.714343 +500：￥9.178907	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 10A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRL640SPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥20.597689	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 10A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRL640SPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 10A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL640SPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥31.575569 +50：￥25.34904 +100：￥20.857021 +500：￥17.648031 +1000：￥14.97425	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 10A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL640SPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥28.419176 +10：￥23.682647 +100：￥21.722703 +500：￥20.416074	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 10A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL640SPBF Vishay 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥20.192767 +10：￥18.255385 +100：￥17.374048 +500：￥14.878224	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL640SPBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-Chan 200V 17 Amp 下载数据手册未分类	+50：￥12.252935 +100：￥11.958865 +200：￥11.370724 +500：￥11.076654 +1000：￥10.292466	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL640SPBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	Days to ship 8 下载数据手册未分类	+1：￥14.508122	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IRL640SPBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+1：￥46.983254 +10：￥14.796364 +25：￥13.355158 +100：￥11.241393 +250：￥8.128392	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRL640SPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4V，5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	180 毫欧 10A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	66 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1800 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.1W（Ta），125W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D²PAK（TO-263）
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 150°C（TJ）