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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7465TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥6.306762 +300：￥4.716822 +1000：￥3.656862 +4000：￥2.6499 +8000：￥2.517405	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.9A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280mOhm 1.14A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 温度： -55°C # 150°C (TJ)

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	IRF7465TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.224585	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.9A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280mOhm 1.14A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF7465TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.557353	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.9A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280mOhm 1.14A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 温度： -55°C # 150°C (TJ)
IRF7465TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF7465TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥2.330183 +200：￥2.236879 +500：￥2.180966 +4000：￥2.143691	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7465TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥2.418335	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.9A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280mOhm 1.14A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 温度： -55°C # 150°C (TJ)
IRF7465TRPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRF7465TRPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+4000：￥1.286237 +12000：￥1.263896 +20000：￥1.230439 +24000：￥1.17441	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7465TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF7465TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥2.207475 +4000：￥2.030937 +12000：￥1.94261 +16000：￥1.854284	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7465TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.669208 +100：￥3.05613 +500：￥2.801222 +2000：￥2.650498 +4000：￥2.525475	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.9A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280mOhm 1.14A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 温度： -55°C # 150°C (TJ)
IRF7465TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥10.054838 +10：￥8.842234 +50：￥8.756339 +100：￥6.78184 +200：￥6.760489	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.9A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280mOhm 1.14A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营国内现货

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	IRF7465TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥2.472587 +8000：￥2.34892 +12000：￥2.260625	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.9A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280mOhm 1.14A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 温度： -55°C # 150°C (TJ)

IRF7465TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.9A (Ta)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	280mOhm 1.14A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	15 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	330 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W (Ta)
工作温度:	-55°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商器件封装:	8-SO
封装/外壳:	8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)
温度:	-55°C # 150°C (TJ)

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF7465TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.557353	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.9A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280mOhm 1.14A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 温度： -55°C # 150°C (TJ)
IRF7465TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF7465TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥2.330183 +200：￥2.236879 +500：￥2.180966 +4000：￥2.143691	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7465TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥2.418335	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.9A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280mOhm 1.14A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 温度： -55°C # 150°C (TJ)
IRF7465TRPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRF7465TRPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+4000：￥1.286237 +12000：￥1.263896 +20000：￥1.230439 +24000：￥1.17441	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7465TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF7465TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥2.207475 +4000：￥2.030937 +12000：￥1.94261 +16000：￥1.854284	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7465TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.669208 +100：￥3.05613 +500：￥2.801222 +2000：￥2.650498 +4000：￥2.525475	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.9A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280mOhm 1.14A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 温度： -55°C # 150°C (TJ)
IRF7465TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥10.054838 +10：￥8.842234 +50：￥8.756339 +100：￥6.78184 +200：￥6.760489	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.9A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280mOhm 1.14A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 温度： -55°C # 150°C (TJ)