IRFS3307ZTRRPBF厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS3307ZTRRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.331639 +200：￥18.6098 +500：￥14.88784 +800：￥12.406493	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.8 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4750 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 230W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS3307ZTRRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK 下载数据手册	+1：￥15.054171 +200：￥5.83495 +500：￥5.62277 +1000：￥5.527289	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.8 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4750 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 230W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS3307ZTRRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥8.23059	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.8 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4750 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 230W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFS3307ZTRRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥20.134205	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.8 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4750 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 230W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFS3307ZTRRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK 下载数据手册未分类	+800：￥24.156777 +1600：￥20.373319 +2400：￥19.354574 +5600：￥18.626957	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 5.8mOhm @ 75A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 150µA Supplier Device Package： D²PAK (TO-263) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 4750 pF @ 50 V
IRFS3307ZTRRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥38.560735 +10：￥34.638406 +100：￥28.377256	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 5.8mOhm @ 75A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 150µA Supplier Device Package： D²PAK (TO-263) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 4750 pF @ 50 V
IRFS3307ZTRRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥38.560735 +10：￥34.638406 +100：￥28.377256	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 5.8mOhm @ 75A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 150µA Supplier Device Package： D²PAK (TO-263) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 4750 pF @ 50 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS3307ZTRRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管	+1：￥41.664142 +10：￥37.429426 +100：￥30.735842 +500：￥27.184146 +800：￥23.086033	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.8 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4750 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 230W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS3307ZTRRPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+800：￥13.184574 +2400：￥13.140599	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFS3307ZTRRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	5.8 毫欧 75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	110 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4750 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	230W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D²PAK（TO-263）
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）