IRFHS8342TRPBF厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFHS8342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥2.086766	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.8A（Ta），19A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 8.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TSDSON-6 封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFHS8342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.092417 +10：￥3.015927 +30：￥2.96129	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.8A（Ta），19A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 8.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TSDSON-6 封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFHS8342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.656611	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.8A（Ta），19A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 8.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TSDSON-6 封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRFHS8342TRPBF 授权代理品牌	IRFHS8342TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥4.395271 +30：￥4.212135 +200：￥4.028998 +3000：￥3.955721	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRFHS8342TRPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRFHS8342TRPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥2.825531 +3000：￥2.707801 +9000：￥2.660685 +15000：￥2.590071 +30000：￥2.519455	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFHS8342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.8A（Ta），19A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 8.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TSDSON-6 封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFHS8342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥0.977128 +8000：￥0.927425 +12000：￥0.861193 +28000：￥0.841335	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.8A（Ta），19A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 8.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TSDSON-6 封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFHS8342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥2.390313 +8000：￥2.268728 +12000：￥2.106706 +28000：￥2.058128	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.8A（Ta），19A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 8.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TSDSON-6 封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFHS8342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.143794 +10：￥6.057937 +100：￥4.213411 +500：￥3.289574 +1000：￥2.673922	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TSDSON-6
IRFHS8342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.143794 +10：￥6.057937 +100：￥4.213411 +500：￥3.289574 +1000：￥2.673922	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TSDSON-6

IRFHS8342TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	8.8A（Ta），19A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	16 毫欧 8.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.35V 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	8.7 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	600 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.1W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TSDSON-6
封装/外壳:	6-PowerVDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）