搜索 IRF7807ATR 共 6 条相关记录
自营 现货库存
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
 | IRF7807ATR 授权代理品牌 | N沟道 20V 12A | +5： ￥2.497974 +50： ￥2.062632 +150： ￥1.876103 +500： ￥1.434642 +2500： ￥1.330941 | 暂无参数 |
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
IRF7807ATR 授权代理品牌 | +50： ￥0.739585 +150： ￥0.726726 +500： ￥0.707439 +22950： ￥0.694579 +32800： ￥0.649574 | 暂无参数 | |||
IRF7807ATR | +20： ￥1.321777 +50： ￥1.266789 +500： ￥1.211571 | 暂无参数 | |||
IRF7807ATR 授权代理品牌 | +50： ￥0.885815 +4000： ￥0.848886 +12000： ￥0.834069 +20000： ￥0.811959 +24000： ￥0.760328 | 暂无参数 |
自营 国内现货
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
 | 授权代理品牌 | 1+: |
Digi-Key
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| 授权代理品牌 | 1+: |
IRF7807ATR参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | HEXFET® |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 8.3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 25 毫欧 7A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 17 nC 5 V |
| Vgs（最大值）: | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | - |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 2.5W（Ta） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-SO |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |