IPN70R600P7SATMA1厂家价格_数据手册

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	IPN70R600P7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.163814 +10：￥7.789254 +30：￥6.414694 +100：￥5.727414 +500：￥5.269187	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 364 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.9W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IPN70R600P7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223 下载数据手册未分类	+1：￥4.939126 +10：￥3.955672 +30：￥3.463945 +100：￥2.983145 +500：￥2.688108	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 364 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.9W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPN70R600P7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.257096	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 364 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.9W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPN70R600P7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.883094 +2：￥4.76108 +3：￥4.639067	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 364 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.9W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPN70R600P7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 364 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.9W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPN70R600P7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.577054 +6000：￥1.494049 +9000：￥1.383392 +30000：￥1.369669	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 364 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.9W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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IPN70R600P7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.857891 +6000：￥3.654838 +9000：￥3.384143 +30000：￥3.350573	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 364 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.9W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）
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IPN70R600P7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.095885 +10：￥8.796042 +100：￥6.091607 +500：￥5.089589 +1000：￥4.331641	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ P7 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-3 供应商器件封装： PG-SOT223

Mouser

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	IPN70R600P7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223 下载数据手册晶体管	+1：￥10.653288 +10：￥8.895497 +100：￥6.498507 +500：￥5.433179 +1000：￥4.620863	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 364 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.9W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

IPN70R600P7SATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	8.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	600 毫欧 1.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	10.5 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	364 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	6.9W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-SOT223
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
温度:	-40°C # 150°C（TJ）