搜索 IRLU3636PBF 共 10 条相关记录
自营 现货库存
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IRLU3636PBF 授权代理品牌 | +1: ¥23.194958 +10: ¥20.670679 +100: ¥16.438027 +500: ¥12.952363 +1000: ¥12.336926 | ||||
IRLU3636PBF 授权代理品牌 | +1: ¥15.714396 +10: ¥10.506742 +50: ¥9.775779 +100: ¥8.240852 +200: ¥7.793203 |
Mouser
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IRLU3636PBF 授权代理品牌 | +1: ¥25.935385 +10: ¥25.6191 +100: ¥22.772533 +500: ¥19.609682 +1000: ¥18.502683 |
艾睿
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IRLU3636PBF 授权代理品牌 | +1: ¥17.216984 +10: ¥16.677718 +100: ¥16.619205 +500: ¥15.333505 +1000: ¥14.784752 | 暂无参数 | |||
IRLU3636PBF 授权代理品牌 | +1: ¥19.891175 +10: ¥18.966042 +100: ¥18.866411 +500: ¥16.778928 +1000: ¥15.932866 | 暂无参数 |
IRLU3636PBF参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 管件 |
封装/外壳: | * |
系列: | HEXFET® |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 50A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 6.8 毫欧 50A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.5V 100µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 49 nC 4.5 V |
Vgs(最大值): | ±16V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 3779 pF 50 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 143W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 175°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | I-PAK |
封装/外壳: | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
温度: | -55°C # 175°C(TJ) |