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	IRLU3636PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 50A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥33.524986 +10：￥28.496226 +30：￥23.467466 +100：￥20.953086 +500：￥19.276873	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.8 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3779 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： I-PAK 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRLU3636PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 50A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.244784 +10：￥6.994938 +30：￥6.301746 +100：￥5.524531 +500：￥5.177935	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.8 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3779 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： I-PAK 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRLU3636PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 50A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.4864	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.8 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3779 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： I-PAK 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRLU3636PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 50A IPAK 下载数据手册未分类	+1：￥23.194958 +10：￥20.670679 +100：￥16.438027 +500：￥12.952363 +1000：￥12.336926	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.8 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3779 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： I-PAK 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IRLU3636PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 50A IPAK 下载数据手册未分类	+1：￥15.714396 +10：￥10.506742 +50：￥9.775779 +100：￥8.240852 +200：￥7.793203	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.8 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3779 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： I-PAK 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRLU3636PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 50A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.8 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3779 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： I-PAK 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	IRLU3636PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 50A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.8 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3779 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： I-PAK 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IRLU3636PBF International 授权代理品牌	IRLU3636 - 12V-300V N-CHANNEL PO 下载数据手册未分类	+278：￥15.402812	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 6.8mOhm @ 50A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 143W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 100µA Supplier Device Package： IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±16V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 49 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3779 pF @ 50 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLU3636PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 50A IPAK 下载数据手册未分类	+1：￥26.737541 +10：￥26.411473 +100：￥23.476867 +500：￥20.216191 +1000：￥19.074953	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.8 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3779 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： I-PAK 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLU3636PBF Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube 下载数据手册未分类	+1：￥16.951862 +10：￥16.420899 +100：￥16.363288 +500：￥15.097386 +1000：￥14.557082	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRLU3636PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6.8 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	49 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3779 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	143W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	I-PAK
封装/外壳:	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
温度:	-55°C # 175°C（TJ）