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	IXFH44N50Q3 Zilog(美国力特) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥269.674096 +210：￥107.600828 +510：￥104.005756 +990：￥102.235538	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IXFH44N50Q3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 44A TO247AD 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+450：￥142.643188	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Q3 Class 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IXFH44N50Q3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 44A TO247AD 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥138.526964	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Q3 Class 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IXFH44N50Q3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 44A TO247AD 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥230.861093	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Q3 Class 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IXFH44N50Q3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 44A TO247AD 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+300：￥199.766948 +600：￥194.772837 +900：￥189.778612	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Q3 Class 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IXFH44N50Q3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 44A TO247AD 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥84.045839 +30：￥70.437305	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Q3 Class 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IXFH44N50Q3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 44A TO247AD 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥205.59839 +30：￥172.30831	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Q3 Class 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	IXFH44N50Q3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 44A TO247AD 下载数据手册未分类	+1：￥235.02985 +30：￥196.974287	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Q3 Class 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH44N50Q3 Littelfuse 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 500V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 下载数据手册未分类	+300：￥237.399542 +500：￥235.028509 +1000：￥232.688675 +2000：￥230.348842 +2500：￥228.055804	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH44N50Q3 Littelfuse(美国力特) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+1：￥287.446765 +10：￥226.124789 +25：￥192.589333	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFH44N50Q3参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Q3 Class
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	44A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	140 毫欧 22A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	6.5V 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	93 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4800 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	830W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247AD（IXFH）
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IXFH44N50Q3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 44A TO247AD 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+450：￥142.643188	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Q3 Class 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IXFH44N50Q3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 44A TO247AD 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥138.526964	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Q3 Class 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IXFH44N50Q3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 44A TO247AD 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥230.861093	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Q3 Class 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IXFH44N50Q3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 44A TO247AD 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+300：￥199.766948 +600：￥194.772837 +900：￥189.778612	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Q3 Class 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）