IRFD113PBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 IRFD113PBF 共 8 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFD113PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP 下载数据手册未分类	+1：￥8.610689 +200：￥3.332817 +500：￥3.212617 +1000：￥3.157981	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 800mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 800 毫欧 800mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFD113PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.206797 +10：￥10.115872 +100：￥8.051814 +500：￥6.813379 +1000：￥5.780999	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 800mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 800 毫欧 800mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFD113PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥29.861059 +10：￥24.746103 +100：￥19.696869 +500：￥16.667329 +1000：￥14.141855	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 800mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 800 毫欧 800mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFD113PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP 下载数据手册晶体管	+1：￥32.665719 +10：￥27.439204 +100：￥22.049361 +250：￥21.069389 +500：￥18.619459	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 800mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 800 毫欧 800mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFD113PBF Vishay 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A 4-Pin HVMDIP 下载数据手册未分类	+1：￥22.917892 +10：￥20.481347 +100：￥17.62051 +250：￥17.31789 +500：￥15.548976	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFD113PBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A 4-Pin HVMDIP 下载数据手册未分类	+8：￥14.496205 +10：￥12.955023 +100：￥11.145464 +250：￥10.954049 +500：￥9.835162	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IRFD113PBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A 4-Pin HVMDIP 下载数据手册未分类	+57：￥1.022195	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFD113PBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	Days to ship 8 下载数据手册未分类	+1：￥16.275999 +10：￥14.099781 +100：￥11.709303 +250：￥11.46526 +500：￥10.079782	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFD113PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	800mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	800 毫欧 800mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	7 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	200 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	4-HVMDIP
封装/外壳:	4-DIP（0.300，7.62mm）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）