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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP12CN10LGXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.407451 +200：￥6.152053 +500：￥5.944435 +1000：￥5.846089	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 69A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 69A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 83µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 58 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5600 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP12CN10LGXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.899503	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 69A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 69A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 83µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 58 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5600 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP12CN10LGXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.2139 +50：￥9.026021 +100：￥7.426289 +500：￥6.283872 +1000：￥5.331742	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 69A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 69A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 83µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 58 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5600 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP12CN10LGXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥27.432168 +50：￥22.080039 +100：￥18.16667 +500：￥15.372016 +1000：￥13.042854	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 69A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 69A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 83µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 58 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5600 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP12CN10LGXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3 下载数据手册晶体管	+1：￥20.416074 +10：￥17.639489 +100：￥15.663214 +250：￥15.548883 +500：￥14.176923	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 69A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 69A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 83µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 58 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5600 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP12CN10LGXKSA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+0：￥10.794434 +1：￥8.145742	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPP12CN10LGXKSA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+1：￥10.755438	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP12CN10LGXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 69 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IPP12CN10LGXKSA1 下载数据手册未分类	+5：￥14.870563 +15：￥14.725054 +25：￥13.985581	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPP12CN10LGXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 69 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IPP12CN10LGXKSA1 下载数据手册未分类	+50：￥13.298587 +250：￥11.968727	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPP12CN10LGXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	69A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	12 毫欧 69A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.4V 83µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	58 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5600 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	125W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）