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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFBF20SPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥10.413688 +200：￥4.032163 +500：￥3.890108 +1000：￥3.824545	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 900 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 490 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），54W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFBF20SPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK 下载数据手册未分类	+50：￥12.594304 +100：￥11.529138 +500：￥11.019569 +1000：￥10.80562	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 900 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 490 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），54W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFBF20SPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IRFBF20SPBF INFINEON TECHNOLOGIES/IR 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFBF20SPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IRFBF20SPBF INFINEON TECHNOLOGIES/IR 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFBF20SPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.493484 +10：￥12.032462 +100：￥9.577898 +500：￥8.104584 +1000：￥6.876585	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 900 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 490 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），54W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFBF20SPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥25.044692 +10：￥20.792054 +100：￥16.550575 +500：￥14.004695 +1000：￥11.882716	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 900 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 490 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），54W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFBF20SPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥24.591067 +10：￥21.280731 +100：￥17.970395 +250：￥17.81276 +1000：￥14.34479	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 900 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 490 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），54W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFBF20SPBF Vishay 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥24.198793 +10：￥20.720088 +100：￥18.03063 +250：￥17.872145 +1000：￥15.784921	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFBF20SPBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	MOSFET 900V N-CH HEXFET D2-PA 下载数据手册未分类	+50：￥13.134927 +100：￥10.712884 +250：￥10.060795 +500：￥9.036084 +1000：￥8.011375	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFBF20SPBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	Days to ship 8 下载数据手册未分类	+1：￥14.598176 +10：￥13.701119 +100：￥11.312344	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFBF20SPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	8 欧姆 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	38 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	490 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.1W（Ta），54W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D²PAK（TO-263）
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 150°C（TJ）