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	IXFH80N65X2-4 Zilog(美国力特) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥216.381801 +210：￥86.33636 +510：￥83.451561 +990：￥82.031016	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IXFH80N65X2-4 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 80A TO247-4L 下载数据手册未分类	+1：￥167.148021 +10：￥153.627199 +30：￥147.258767 +120：￥129.622967	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 38 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 890W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-4L 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IXFH80N65X2-4 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 80A TO247-4L 下载数据手册未分类	+1：￥146.478155 +10：￥139.109711 +25：￥132.122495 +50：￥118.910204	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 38 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 890W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-4L 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IXFH80N65X2-4 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 80A TO247-4L 下载数据手册未分类	+1：￥161.280444	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 38 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 890W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-4L 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH80N65X2-4 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 80A TO247-4L 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥239.423643 +30：￥155.73506 +120：￥141.224305	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 38 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 890W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-4L 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH80N65X2-4 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 80A TO247-4L 下载数据手册	+1：￥259.356451 +10：￥228.843927 +30：￥168.813854 +120：￥153.060105	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 38 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 890W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-4L 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH80N65X2-4 Littelfuse(美国力特) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 650V, 80A, TO-247 下载数据手册未分类	+1：￥132.958001 +5：￥126.035166 +10：￥119.099143 +50：￥112.176308 +100：￥105.240286	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH80N65X2-4 Littelfuse(美国力特) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 650V, 80A, TO-247 下载数据手册未分类	+1：￥148.034679 +5：￥139.032483 +10：￥130.017428 +50：￥121.015232 +100：￥112.000177	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFH80N65X2-4参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Ultra X2
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	38 毫欧 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	140 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	8300 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	890W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247-4L
封装/外壳:	TO-247-4
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IXFH80N65X2-4 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 80A TO247-4L 下载数据手册未分类	+1：￥167.148021 +10：￥153.627199 +30：￥147.258767 +120：￥129.622967	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 38 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 890W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-4L 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IXFH80N65X2-4 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 80A TO247-4L 下载数据手册未分类	+1：￥146.478155 +10：￥139.109711 +25：￥132.122495 +50：￥118.910204	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 38 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 890W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-4L 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IXFH80N65X2-4 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 80A TO247-4L 下载数据手册未分类	+1：￥161.280444	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 38 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 890W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-4L 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）