IPP040N06N3GXKSA1厂家价格_数据手册

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	IPP040N06N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.928994 +30：￥10.552138 +100：￥9.798414 +500：￥9.04469 +1000：￥8.667822	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 188W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPP040N06N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.629998 +10：￥11.246103 +20：￥8.255104 +50：￥5.981998 +100：￥5.682886	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 188W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IPP040N06N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥9.014998 +10：￥7.517962 +50：￥6.228544 +100：￥5.288799	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 188W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPP040N06N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.738257	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 188W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPP040N06N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.262531 +10：￥11.936279 +100：￥9.595355 +500：￥7.883504 +1000：￥7.508098	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 188W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	IPP040N06N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥32.443665 +10：￥29.199299 +100：￥23.47278 +500：￥19.285137 +1000：￥18.366797	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 188W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IPP040N06N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥41.918261 +50：￥18.180898 +100：￥15.506696 +500：￥14.29474 +1000：￥13.363359	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-220-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 4mOhm @ 90A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 90µA Supplier Device Package： PG-TO220-3 Part Status： Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 11000 pF @ 30 V

Mouser

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	IPP040N06N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3 下载数据手册晶体管	+1：￥40.959747 +10：￥31.507497 +25：￥20.0653 +100：￥18.73867 +500：￥16.582893	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 188W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

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	IPP040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+500：￥10.976819	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPP040N06N3GXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥19.360217 +10：￥13.648954 +50：￥9.77691 +100：￥9.186424 +200：￥8.828259	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPP040N06N3GXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4 毫欧 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	98 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	11000 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	188W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）