IRFH7934TRPBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH7934TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 24A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.524999 +200：￥7.9376 +500：￥6.35008 +1000：￥5.291693	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Ta），76A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 24A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3100 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH7934TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 24A PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥9.768979 +200：￥3.780835 +500：￥3.649708 +1000：￥3.584145	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Ta），76A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 24A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3100 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRFH7934TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFH7934TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥3.980147 +100：￥3.880707 +1000：￥3.648486 +5000：￥3.482715	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

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	IRFH7934TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 24A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Ta），76A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 24A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3100 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFH7934TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 24A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥3.488912	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Ta），76A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 24A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3100 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH7934TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 24A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥8.534804	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Ta），76A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 24A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3100 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRFH7934TRPBF International 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 24A/76A 8PQFN 下载数据手册未分类	+466：￥9.791127	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： 8-PowerTDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 24A (Ta), 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3.5mOhm @ 24A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.35V @ 50µA Supplier Device Package： 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 30 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3100 pF @ 15 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH7934TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 24A PQFN 下载数据手册晶体管	+4000：￥9.236674	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Ta），76A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 24A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3100 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH7934TRPBF Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin PQFN T/R 下载数据手册未分类	+4000：￥7.508257 +8000：￥7.463371	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH7934TRPBF Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin PQFN T/R 下载数据手册未分类	+4000：￥4.788512 +8000：￥4.758722	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFH7934TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	24A（Ta），76A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.5 毫欧 24A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.35V 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	30 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3100 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.1W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）