IPP80N03S4L03AKSA1厂家价格_数据手册

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	IPP80N03S4L03AKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥66.73392 +10：￥44.48928 +30：￥37.0744	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9750 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPP80N03S4L03AKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.997009	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9750 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPP80N03S4L03AKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9750 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPP80N03S4L03AKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.972289 +10：￥13.422531 +100：￥10.857091 +500：￥9.650632 +1000：￥8.263307	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9750 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	IPP80N03S4L03AKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥39.07245 +10：￥32.835067 +100：￥26.559321 +500：￥23.608002 +1000：￥20.21424	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9750 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

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	IPP80N03S4L03AKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥48.753875 +10：￥40.601054 +100：￥29.513215 +250：￥29.187103 +500：￥25.599861	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9750 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

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	IPP80N03S4L03AKSA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube 下载数据手册未分类	+500：￥20.990711	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPP80N03S4L03AKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥28.693738 +10：￥18.311136 +50：￥14.818808 +100：￥13.874932 +200：￥13.780546	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPP80N03S4L03AKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.7毫欧 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.2V 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	140 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	9750 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	136W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-3-1
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）