IPN60R600P7SATMA1厂家价格_数据手册

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	IPN60R600P7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.99125 +10：￥1.93725 +30：￥1.9035 +100：￥1.86975	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 1.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 80µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 363 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 7W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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IPN60R600P7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.871125 +10：￥4.739027 +30：￥4.656465 +100：￥4.573904	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 1.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 80µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 363 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 7W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IPN60R600P7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.871125 +10：￥4.739027 +30：￥4.656465 +100：￥4.573904	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ P7 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-3 供应商器件封装： PG-SOT223
IPN60R600P7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.871125 +10：￥4.739027 +30：￥4.656465 +100：￥4.573904	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ P7 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-3 供应商器件封装： PG-SOT223

Mouser

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	IPN60R600P7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223 下载数据手册未分类	+1：￥15.709431 +10：￥13.661595 +100：￥10.688023 +250：￥10.477629 +500：￥8.44382	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 1.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 80µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 363 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 7W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

IPN60R600P7SATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	600 毫欧 1.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 80µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	9 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	363 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	7W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-SOT223
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
温度:	-40°C # 150°C（TJ）