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	IRF100B202 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.988177 +10：￥10.552138 +100：￥9.244022 +500：￥8.982398	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 97A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.6 毫欧 58A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 116 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4476 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 221W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRF100B202 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.416359 +10：￥10.034167 +20：￥7.779211 +50：￥5.637148 +250：￥5.073409	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 97A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.6 毫欧 58A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 116 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4476 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 221W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRF100B202 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.627544 +10：￥4.600381 +50：￥3.999381 +100：￥3.485799 +500：￥3.190763	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 97A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.6 毫欧 58A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 116 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4476 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 221W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRF100B202 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.1503	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 97A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.6 毫欧 58A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 116 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4476 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 221W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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IRF100B202 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.397412 +10：￥6.54637 +100：￥5.643422 +500：￥5.191949 +1000：￥4.981261	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 97A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.6 毫欧 58A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 116 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4476 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 221W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF100B202 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.08235 +10：￥6.897593 +30：￥6.774422 +100：￥6.65125 +300：￥6.618026	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 97A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.6 毫欧 58A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 116 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4476 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 221W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
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IRF100B202 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥7.701448 +100：￥7.573067 +500：￥7.508934 +3000：￥7.380554	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 97A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.6 毫欧 58A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 116 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4476 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 221W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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Digi-Key

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	IRF100B202 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥30.575438 +10：￥25.374758 +100：￥20.195506 +500：￥17.088814 +1000：￥14.499617	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 97A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.6 毫欧 58A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 116 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4476 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 221W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRF100B202参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®, StrongIRFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	97A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	8.6 毫欧 58A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	116 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4476 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	221W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF100B202 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.397412 +10：￥6.54637 +100：￥5.643422 +500：￥5.191949 +1000：￥4.981261	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 97A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.6 毫欧 58A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 116 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4476 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 221W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF100B202 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.08235 +10：￥6.897593 +30：￥6.774422 +100：￥6.65125 +300：￥6.618026	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 97A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.6 毫欧 58A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 116 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4476 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 221W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF100B202 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥5.556832 +2000：￥5.415602 +5000：￥5.321371 +55000：￥4.473758	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 97A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.6 毫欧 58A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 116 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4476 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 221W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF100B202 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥7.701448 +100：￥7.573067 +500：￥7.508934 +3000：￥7.380554	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 97A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.6 毫欧 58A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 116 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4476 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 221W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）