IPN80R2K4P7ATMA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPN80R2K4P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	COOLMOS P7 800V SOT-223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.944441 +10：￥5.96288 +30：￥4.969107	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 欧姆 800mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150 pF 500 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.3W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPN80R2K4P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	COOLMOS P7 800V SOT-223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.994145	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 欧姆 800mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150 pF 500 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.3W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPN80R2K4P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	COOLMOS P7 800V SOT-223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 欧姆 800mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150 pF 500 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.3W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPN80R2K4P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	COOLMOS P7 800V SOT-223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥4.534167 +6000：￥4.295565 +9000：￥3.97738 +30000：￥3.938088	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 欧姆 800mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150 pF 500 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.3W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPN80R2K4P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	COOLMOS P7 800V SOT-223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.001574 +10：￥10.344214 +100：￥7.15951 +500：￥5.981928 +1000：￥5.091097	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ P7 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-3 供应商器件封装： PG-SOT223
IPN80R2K4P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	COOLMOS P7 800V SOT-223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.001574 +10：￥10.344214 +100：￥7.15951 +500：￥5.981928 +1000：￥5.091097	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ P7 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-3 供应商器件封装： PG-SOT223

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPN80R2K4P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	COOLMOS P7 800V SOT-223 下载数据手册晶体管	+1：￥13.556273 +10：￥11.465668 +100：￥8.182763 +500：￥6.827136 +1000：￥5.814498	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 欧姆 800mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150 pF 500 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.3W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IPN80R2K4P7ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.4 欧姆 800mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 40µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	7.5 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	150 pF 500 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	6.3W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-SOT223
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）