搜索 IPT012N06NATMA1 共 10 条相关记录
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IPT012N06NATMA1 授权代理品牌 | +10: ¥150.235776 +100: ¥112.425984 +200: ¥86.847264 +300: ¥75.42072 +500: ¥68.726592 |
自营 现货库存
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IPT012N06NATMA1 授权代理品牌 | +1: ¥46.364407 +10: ¥40.98819 +30: ¥37.710009 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IPT012N06NATMA1 授权代理品牌 | +1: ¥31.515781 |
Digi-Key
Mouser
艾睿
IPT012N06NATMA1参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 散装,卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | OptiMOS™ |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 240A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 6V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 1.2 毫欧 100A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3.3V 143µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 124 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 9750 pF 30 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 214W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PG-HSOF-8-1 |
封装/外壳: | 8-PowerSFN |
温度: | -55°C # 175°C(TJ) |