IPT012N06NATMA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPT012N06NATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 240A HSOF-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥118.784248 +200：￥80.328875 +500：￥58.964873 +2000：￥42.728125 +4000：￥40.591749	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.3V 143µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 124 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9750 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 214W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IPT012N06NATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 240A HSOF-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥37.731863 +10：￥32.989428 +30：￥30.093702	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.3V 143µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 124 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9750 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 214W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPT012N06NATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 240A HSOF-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥31.515781	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.3V 143µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 124 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9750 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 214W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPT012N06NATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 240A HSOF-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥15.540101	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.3V 143µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 124 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9750 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 214W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPT012N06NATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 240A HSOF-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥38.015204	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.3V 143µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 124 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9750 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 214W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPT012N06NATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 240A 8HSOF 下载数据手册未分类	+2000：￥42.308377	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： 8-PowerSFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 1.2mOhm @ 100A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.3V @ 143µA Supplier Device Package： PG-HSOF-8-1 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 9750 pF @ 30 V
IPT012N06NATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 240A 8HSOF 下载数据手册未分类	+1：￥100.970993 +10：￥68.078927 +100：￥49.443661 +500：￥42.308377	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： 8-PowerSFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 1.2mOhm @ 100A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.3V @ 143µA Supplier Device Package： PG-HSOF-8-1 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 9750 pF @ 30 V
IPT012N06NATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 240A 8HSOF 下载数据手册未分类	+1：￥100.970993 +10：￥68.078927 +100：￥49.443661 +500：￥42.308377	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： 8-PowerSFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 1.2mOhm @ 100A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.3V @ 143µA Supplier Device Package： PG-HSOF-8-1 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 9750 pF @ 30 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPT012N06NATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 240A HSOF-8 下载数据手册专业电源芯片	+1：￥93.361689 +10：￥65.668258 +100：￥49.251193 +500：￥45.934614 +2000：￥45.768785	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.3V 143µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 124 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9750 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 214W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPT012N06NATMA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	60V Power-Transistor 下载数据手册未分类	+2000：￥53.939945 +4000：￥53.645868 +6000：￥53.35179 +10000：￥53.057714 +12000：￥52.763637	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPT012N06NATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	240A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.2 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.3V 143µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	124 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	9750 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	214W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-HSOF-8-1
封装/外壳:	8-PowerSFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）