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	IRLU3110ZPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 42A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.120749	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3980 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRLU3110ZPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 42A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.778577 +10：￥12.561857 +30：￥10.345016 +75：￥9.236656 +525：￥8.497709	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3980 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRLU3110ZPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 42A IPAK 下载数据手册未分类	+1：￥15.582287 +10：￥13.560742 +30：￥12.293179 +75：￥10.981906 +525：￥10.402761	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3980 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRLU3110ZPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 42A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.47054	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3980 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLU3110ZPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 42A IPAK 下载数据手册未分类	+10：￥19.061498 +100：￥15.32984 +500：￥12.606818 +1000：￥10.488885 +3000：￥9.903905	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3980 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRLU3110ZPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 42A IPAK 下载数据手册未分类	+1：￥11.688343 +10：￥7.795469	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3980 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRLU3110ZPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 42A IPAK 下载数据手册未分类	+10：￥17.846958 +100：￥14.371928 +500：￥11.839615 +1000：￥11.273962	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3980 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRLU3110ZPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 42A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.707335 +10：￥10.508859 +100：￥8.447036 +500：￥6.939842 +1000：￥5.783201	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3980 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLU3110ZPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 42A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥28.639243 +10：￥25.707454 +100：￥20.663689 +500：￥16.976694 +1000：￥14.147243	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3980 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IRLU3110ZPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 42A IPAK 下载数据手册未分类	+3000：￥11.389835	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 14mOhm @ 38A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 100µA Supplier Device Package： IPAK (TO-251AA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±16V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 48 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3980 pF @ 25 V

IRLU3110ZPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	42A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	14 毫欧 38A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	48 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3980 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	140W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	IPAK（TO-251AA）
封装/外壳:	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLU3110ZPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 42A IPAK 下载数据手册未分类	+10：￥19.061498 +100：￥15.32984 +500：￥12.606818 +1000：￥10.488885 +3000：￥9.903905	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3980 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRLU3110ZPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 42A IPAK 下载数据手册未分类	+1：￥11.688343 +10：￥7.795469	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3980 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRLU3110ZPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 42A IPAK 下载数据手册未分类	+10：￥17.846958 +100：￥14.371928 +500：￥11.839615 +1000：￥11.273962	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3980 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）